![]() 倾佳电子作为基本半导体（BASiC Semiconductor）授权的一级代理商与核心战略合作伙伴，始终致力于为中国及全球的电力电子客户提供世界顶级的碳化硅（SiC）全产业链解决方案。我们在苏州设立分支机构，正是为了更好地贴近华东这一中国电力电子创新的核心腹地，为您提供从前沿技术选型、产品级3D/热力学仿真到定制化驱动设计的全方位服务。
行业正迎来深刻的变革，我们坚信碳化硅领域的“三个必然” ：SiC模块必然全面替代IGBT，SiC分立器件必然全面替代高压硅基MOSFET，SiC必然全面替代GaN与超结（SJ）MOSFET。同时，我们也将“死磕固变（SST）”与“死磕固断（SSCB）”作为我们在先进拓扑应用上的核心技术死角突破方向。
为了帮助您在接下来的高频、高压、高功率密度产品研发中抢占先机，我为您系统梳理了我们目前可提供的全线碳化硅核心器件及配套驱动方案与典型应用场景：
一、 核心产品全景：从芯片、模块到驱动的“交钥匙”方案
1. 工业级全碳化硅功率模块（SiC MOSFET Modules）
采用基本半导体第三代高性能碳化硅芯片技术，引入高性能 Si3N4 AMB陶瓷基板和高温焊料，集成NTC温度传感器，支持Press-Fit压接与焊接工艺，具备极低的开关损耗与卓越的高温 RDS(on) 表现。
34mm 半桥模块：主推型号 BMF80R12RA3（1200V/80A）。极致紧凑，适合高频高功率密度应用。 62mm 半桥模块：主推型号 BMF540R12KHA3（1200V/540A）。14nH极低杂散电感设计，带Cu基板。 EconoDual™ 3 (ED3) 半桥模块：主推型号 BMF540R12MZA3（1200V/540A）。行业标准封装直接升级SiC的首选。 Pcore™2 E1B/E2B 模块：BMH027MR07E1G3 (650V/27mΩ)、BMF011MR12E1G3 (1200V/11mΩ)、BMF008MR12E2G3 (1200V/8.1mΩ)、BMF240R12E2G3 (1200V/5.5mΩ)。 工业级全碳化硅功率模块
依托先进的封装工艺与极低的杂散电感设计，全碳化硅功率模块是实现高频、高功率密度变换器的核心心脏。
涵盖所有型号：
BMH027MR07E1G3、BMF011MR12E1G3、BMF008MR12E2G3、BMF240R12E2G3、BMF540R12MZA3、BMF160R12RA3、BMF120R12RB3、BMF80R12RA3、BMF60R12RB3、BMF540R12KHA3、BMF240R12KHB3、BMF360R12KHA3、BMS065MR12EP2CA2、BMCS002MR12L3CG5、BMZ0D60MR12L3G5 。
2. 碳化硅分立器件（SiC Discretes）
基于6英寸晶圆平台，拥有卓越的FOM (RDS(ON)×QG)，满足各种散热与空间限制需求。
SiC MOSFET（B3M/B2M系列） ：覆盖650V/1200V。提供丰富的封装形式，包括传统插件式 TO-247-3/4 (含长/细脚版)、TO-220，以及先进贴片式 TOLL、TOLT（顶部散热）、TO-263-7、TO-252、QDPAK。代表型号：B3M040120Z, B3M025065H 等。同时提供车规级系列（AB3M/AB2M）。 混合碳化硅器件（BGH系列） ：将传统硅IGBT与碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）合封。代表型号：BGH50N65HF1, BGH75N65HS1。在特定成本约束下实现开通损耗与反向恢复性能的最佳平衡。 碳化硅肖特基二极管（B3D系列） ：覆盖400V/650V/1200V。包含 B3D120040HC, B3D04065KF, B3D10120H 等，涵盖TO-247、TO-220、TO-252、TO-263等封装，VF极低。碳化硅MOSFET（工业级与车规级） 覆盖650V至1700V全电压段，提供从传统插件到先进贴片（TOLL、TOLT、QDPAK等）的极丰富封装选择，全面满足严苛的空间与热力学设计需求。
涵盖所有型号：
B3M025065H、B3M025065L、B3M025065Z、B3M025065B、B3M025065R、AB3M025065CQ、AB3M025065C、B3M040065L、B3M040065B、B3M040065H、B3M040065Z、B3M040065R、AB3M040065C、B3M008C075Z*、B3M010C075Z、B3M010C075H、B3M025075Z*、B3M040075Z*、B3M006C120Y*、B2M011120HK、B3M011C120H、B3M011C120Y、B3M011C120Z、B3M013C120H、B3M013C120Z、B2M015120N、B3M020120H、B3M020120ZL、B3M020120ZN*、B2M030120Z、B2M030120H、B2M030120R、B2M030120N、B3M035120H、B3M035120ZL*、B3M035120ZN*、B3M040120H、B3M040120R、B3M040120Z、B3M040120ZL、B3M040120ZN、AB3M040120CQ*、B2M040120Z、AB2M040120Z、B2M040120H、B2M040120R、AB2M040120R、B2M040120T、B2M065120T、B2M065120Z、B2M065120H、B2M065120R、B2M080120Z、B2M080120ZL、AB2M080120Z、B2M080120H、AB2M080120H、B2M080120R、AB2M080120R、B2M160120Z、B2M160120H、B2M160120R、B3M010140Y、B3M020140ZL、B3M042140Z、B2M600170R、B2M600170H、B2M600170HH 。
碳化硅肖特基二极管
具备零反向恢复电流特性，显著降低系统电磁干扰并提升全工况效率。
涵盖所有型号：
B3D120040HC、B3D04065KF、B3D04065E、B3D04065K、B3D04065KS、B3D06065K、B3D06065KS、B3D06065KF、B3D06065E、B3D08065K、B3D08065KS、B3D08065E、B3D10065K、B3D10065KF、B3D10065KS、B3D10065E、B3D10065F、B3D20065TF、B3D20065HC、B3D20065H、B3D20065K、B3D20065F、B3D30065H、B3D40065HC、B3D40065H、B3D50065H、B3D60065HC、B3D60065H2、B3DM060065N、B3D80065HC、B3D80065H2、B2D02120E1、B3D03120E、B3D05120K、B3D05120E、B3D10120HC、B3D10120H、B3D10120E、B3D10120K、B3D10120F、B3D15120H、B3D20120HC、B3D20120F、B3D20120H、B3D25120H、B3D30120H、B3D30120HC、B3D40120H2、B5D40120H、B3D40120H、B3D40120HC、B3D50120H、B3D50120H2、B3D60120H2、B3D60120HC、B3DM060120N、B3D80120H2、B3D80120HC、B3D80120W、B3DM080120N、B3DM100120N、B3D30140H、B3D40140H、B3D60140HC、B3D60140H2、B3D80140H2、B3D40200H 。
混合碳化硅分立器件
传统硅基IGBT与碳化硅二极管的完美合封，是在特定成本约束下实现开通损耗与反向恢复性能最佳平衡的利器。
涵盖所有型号：
BGH50N65HF1、BGH50N65HS1、BGH50N65ZF1、BGH75N65HS1、BGH75N65HF1、BGH75N65ZF1、BGH40N120HS1、BGH75N120HF1 。
3. 专业碳化硅门极驱动与隔离芯片（Bronze Technologies & BASiC IC）
好马配好鞍，青铜剑技术（基本半导体全资子公司）为您提供最懂SiC的即插即用驱动板与核心ASIC。
即插即用驱动板：
2CP0220T12-ZC01：适配62mm SiC模块的双通道驱动，峰值电流±20A，5000Vac绝缘耐压，集成有源钳位与VDS短路保护。 2CP0225Txx 系列：专为ED3封装模块设计，单通道峰值电流±25A，驱动功率2W，最高支持1700V应用，集成软关断与米勒钳位。 I型三电平驱动板：适配NPC1与ANPC多并联拓扑（主板+门极板架构），单通道峰值驱动电流高达60A，无CPLD高可靠性设计。 34mm驱动参考设计（BSRD-2427） 。 青铜剑技术（基本半导体全资子公司）深耕功率驱动十余年，为您提供从通用驱动核到适配各类主流模块封装的即插即用门极驱动板，完美解决IGBT与碳化硅（SiC）模块的高效、高可靠性驱动难题。
涵盖所有驱动器型号矩阵：
即插即用型驱动板（Plug-and-Play Boards）
适配 62mm 封装模块：2CP0220T12-ZC01（双通道，集成有源钳位与短路保护）、2CP0115T12 系列等。
适配 EconoDUAL™ 3 (ED3) 封装模块：2CP0225T12、2CP0225T17、2CP0420T12 系列（集成软关断与米勒钳位，最高支持1700V应用）。
适配 PrimePACK™ / 宽体大功率模块：2CP0420T17、2CP0620T17 等高压大功率系列。
适配 34mm 与 Easy 系列模块：基于 BSRD-2427-ES01、BSRD-2423-ES01 等专用大电流输出的碳化硅驱动板参考设计。
特定拓扑定制驱动板：I型三电平驱动板（专为NPC1/ANPC等多并联拓扑设计，主板+门极板架构，单通道峰值电流高达60A）。
通用型门极驱动核（Driver Cores）
单通道驱动核：1CD0214T17 等系列（设计紧凑，支持1700V以内大容量单管及模块）。
双通道驱动核：2D0115T12、2CD0115T12、2D0420T12、2D0420T17 等系列大功率通用门极驱动核。
隔离电源模块与组件
Q15P2XXYYD 系列单通道/双通道大功率隔离电源模块、TR-P15DS23-EE13 等驱动器专用隔离电源变压器。
驱动器深度匹配应用场景：
新能源发电：风力发电全功率变流器、大功率集中式与组串式光伏逆变器。
智能电网与电能质量：静止无功发生器（SVG）、有源电力滤波器（APF）、柔性交流输电系统（FACTS）、先进能量路由器/固态变压器（SST）与直流微网固态断路器（SSCB）。
高端工业与储能装备：兆瓦级工商业储能变流器（PCS）、大功率高频感应加热、高端全数字电焊机、中高压大功率变频器、大型数据中心高频UPS电源。
交通运输：轨道交通牵引变流器、机车辅助电源、电动汽车超级充电桩（MCS/兆瓦级快充）。
集成电路芯片（BTD系列） ：
门极隔离驱动IC：BTD5350Mx / BTD25350x / BTD3011R 等。专为SiC MOSFET设计的副方带米勒钳位功能、驱动输出峰值电流可达10A的SOP-8/SOW-16芯片，解决高dv/dt下的串扰误开通难题。 隔离变压器（TR-P15DS23-EE13等）。集成电路芯片（含门极隔离驱动与电源芯片） 解决高dv/dt工况下的米勒串扰误开通难题，为您提供最懂SiC的即插即用核心控制能力。
涵盖所有型号：
BTD3011R、BTD5350MBPR、BTD5350MCPR、BTD5350MBWR、BTD5350MCWR、BTD5350SBPR、BTD5350SCPR、BTD5350SBWR、BTD5350SCWR、BTD5350EBPR、BTD5350ECPR、BTD5350EBWR、BTD5350ECWR、BTD21520MAWR、BTD21520MBWR、BTD21520SAWR、BTD21520SBWR、BTD21520EAWR、BTD21520EBWR、BTD21520MAPR、BTD21520MBPR、BTD21520SAPR、BTD21520SBPR、BTD21520EAPR、BTD21520EBPR、BTD25350MMBWR、BTD25350MMCWR、BTD25350MSBWR、BTD25350MSCWR、BTD25350MEBWR、BTD25350MECWR、BTL27523R、BTL27523BR、BTL27524R、BTL27524BR、BTP1521F、BTP1521P 。
二、 赋能前沿场景：从“零碳”到“算力”的底层基石
作为您的电力电子硬核战友，我们不仅提供器件，更提供针对当前最火热、最严苛拓扑的应用级技术输入。我们的产品已深度匹配以下核心场景：
AI数据中心与高频通信电源（800V DC平台）
针对算力中心供电与服务器交流侧图腾柱PFC，我们的 TOLL/TOLT封装 SiC MOSFET 与 34mm模块，可大幅推高开关频率，极大缩减无源磁性器件体积，将系统级效率飙升至99%以上，为大模型算力提供极致的高功率密度供电心脏。 1500V/2000V光伏逆变器与大储系统（PCS）
面对组串式大功率化趋势与587Ah等大容量电芯的引入，E1B/E2B、ED3封装及62mm全碳化硅模块结合青铜剑三电平ANPC/NPC1驱动板，完美匹配100kW至MW级交直流变换，解决高压直流侧绝缘与高流排布的“坑”，保障25年以上全生命周期的高可靠性。 电动汽车超级快充（MCS / 6C充电）
兆瓦级超充对后级LLC与前级PFC提出极高要求。采用 62mm/34mm SiC模块 配合带米勒钳位的 BTD5350Mx隔离驱动IC，能有效抑制高dv/dt带来的误导通，将模块发挥到极致，实现模块化、瘦高型、轻量化的超充桩设计。 先进能源路由器（SST）与固态断路器（SSCB）
这是我们技术攻关的“深水区”。针对固态变压器级联H桥结构与高频隔离变压器的需求，1200V SiC模块（BMF540R12MZA3等）具备的低开关损耗特性，是实现中压互联与微电网能量调度的不二之选。 高端电焊机、感应加热与APF（有源电力滤波器）
在这些追求极速动态响应的传统工业应用中，碳化硅器件的替换可使设备重量与体积下降40%-50%，引领工业装备的新一轮“瘦身”与效能革命。 我们倾佳团队（苏州及西安等地办公室）不仅能够为您提供及时的样片申请和供应链保障，还能通过我们熟练的 PLECS/MATLAB 仿真技术，在您研发初期为您提供包含损耗评估、热阻计算、驱动参数调优在内的保姆级技术协助。
大江东去，浪淘尽。功率半导体的“碳化硅武林”正风起云涌。如果您目前正在进行相关高压、高功率拓扑的项目预研或产品选型，欢迎随时与我联系。
期待与您在电力电子的创新之路上并肩同行！
刘占辉
华东区业务负责人
倾佳电子（Changer Tech）—— 基本半导体授权一级代理商
|
产品分类